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PNY推出microSD Express存储卡:为高速存储需求注入新动力

美国存储品牌PNY正式发布新一代microSD Express(SD 7.1)存储卡,以PCIe Gen3×1总线技术为核心,重新定义移动设备存储性能标准。这款专为高性能场景设计的存储卡,首批推出128GB和256GB两种容量版本,顺序读写速度分别高达890MB/s和750MB/s,较传统UHS-I卡提升4倍以上,轻松应对4K视频录制、大型游戏加载等高负载任务。

PNY microSD Express存储卡通过U3、A1、V30性能认证,并支持自适应热管理技术,确保长时间高强度使用时仍能稳定输出性能。其防护能力同样亮眼:防磁、防震、耐温、防水、防X射线等特性,搭配终身有限保修服务,让用户在户外探险、极限运动等复杂环境中也能安心使用。

该存储卡向下兼容UHS-I标准,可适配任天堂Switch 2游戏机、无人机、运动相机等设备,成为游戏玩家与内容创作者的理想选择。128GB版本售价44.99美元,256GB版本为55.99美元,以高性价比填补了高端存储卡市场的空白。随着5G、AI技术的普及,PNY此次推出的microSD Express存储卡不仅满足了现有设备对高速存储的需求,更为未来8K视频、VR内容等应用场景预留了性能空间。

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