近年来，国内在光刻机自主生产领域取得了一定的成果，但与全球顶尖水平相比，仍需努力追赶。
在低端和部分中低端光刻机市场，国内已展现出相当的自主生产能力。上海微电子装备（SMEE）作为国内领先企业，其生产的光刻机足以应对部分基础的芯片制造需求。例如，在半导体芯片制造中，对于制程要求不甚严格的领域，以及非高端电子产品的芯片生产，上海微电子装备的光刻机均能发挥关键作用。这些成就不仅增强了国内特定产业芯片供应的自主性，也降低了对国外低端光刻机进口的依赖。
同时，在技术研发层面，国内在光刻机的多项核心技术上取得了突破。光源技术、光刻镜头制造等关键领域的技术积累，为科研团队和企业进一步的技术提升奠定了坚实基础。
然而，在高端光刻机领域，尤其是极紫外（EUV）光刻机的生产上，国内仍面临严峻挑战。当前，荷兰的阿斯麦（ASML）公司在EUV光刻机技术上处于全球领先地位，其设备能实现7纳米及以下先进芯片制程的光刻工艺，成为全球最先进的芯片制造设备之一。相较之下，国内在镜头制造精度、极紫外光源稳定性以及光刻机系统精密控制等技术方面仍存在显著差距。
